2007-05-14

A Brief Introduction of Fractal(分形几何学简介)


谁创立了分形几何学?
1973年,曼德勃罗(B.B.Mandelbrot)在法兰西学院讲课时,首次提出了分维和分形几何的设想。分形(Fractal)一词,是曼德勃罗创造出来的,其愿意具有不规则、支离破碎等意义,分形几何学是一门以非规则几何形态为研究对象的几何学。由于不规则现象在自然界是普遍存在的,因此分形几何又称为描述大自然的几何学。分形几何建立以后,很快就引起了许多学科的关注,这是由于它不仅在理论上,而且在实用上都具有重要价值。
分形几何与传统几何相比有什么特点:
⑴从整体上看,分形几何图形是处处不规则的。例如,海岸线和山川形状,从远距离观察,其形状是极不规则的。
⑵在不同尺度上,图形的规则性又是相同的。上述的海岸线和山川形状,从近距离观察,其局部形状又和整体形态相似,它们从整体到局部,都是自相似的。当然,也有一些分形几何图形,它们并不完全是自相似的。其中一些是用来描述一般随即现象的,还有一些是用来描述混沌和非线性系统的。


什么是分维?
在欧氏空间中,人们习惯把空间看成三维的,平面或球面看成二维,而把直线或曲线看成一维。也可以梢加推广,认为点是零维的,还可以引入高维空间,但通常人们习惯于整数的维数。分形理论把维数视为分数,这类维数是物理学家在研究混沌吸引子等理论时需要引入的重要概念。为了定量地描述客观事物的“非规则”程度,1919年,数学家从测度的角度引入了维数概念,将维数从整数扩大到分数,从而突破了一般拓扑集维数为整数的界限。

分维的概念我们可以从两方面建立起来:一方面,我们首先画一个线段、正方形和立方体,它们的边长都是1。将它们的边长二等分,此时,原图的线度缩小为原来的1/2,而将原图等分为若干个相似的图形。其线段、正方形、立方体分别被等分为2^1、2^2和2^3个相似的子图形,其中的指数1、2、3,正好等于与图形相应的经验维数。一般说来,如果某图形是由把原图缩小为1/a的相似的b个图形所组成,有:
a^D=b, D=logb/loga
的关系成立,则指数D称为相似性维数,D可以是整数,也可以是分数。另一方面,当我们画一根直线,如果我们用0维的点来量它,其结果为无穷大,因为直线中包含无穷多个点;如果我们用一块平面来量它,其结果是0,因为直线中不包含平面。那么,用怎样的尺度来量它才会得到有限值哪?看来只有用与其同维数的小线段来量它才会得到有限值,而这里直线的维数为1(大于0、小于2)。与此类似,如果我们画一个Koch曲线,其整体是一条无限长的线折叠而成,显然,用小直线段量,其结果是无穷大,而用平面量,其结果是0(此曲线中不包含平面),那么只有找一个与Koch曲线维数相同的尺子量它才会得到有限值,而这个维数显然大于1、小于2,那么只能是小数(即分数)了,所以存在分维。其实,Koch曲线的维数是1.2618……。

Fractal(分形)一词的由来
据曼德勃罗教授自己说,fractal一词是1975年夏天的一个寂静夜晚,他在冥思苦想之余偶翻他儿子的拉丁文字典时,突然想到的。此词源于拉丁文形容词fractus,对应的拉丁文动词是frangere(“破碎”、“产生无规碎片”)。此外与英文的fraction(“碎片”、“分数”)及fragment(“碎片”)具有相同的词根。在70年代中期以前,曼德勃罗一直使用英文fractional一词来表示他的分形思想。因此,取拉丁词之头,撷英文之尾的fractal,本意是不规则的、破碎的、分数的。曼德勃罗是想用此词来描述自然界中传统欧几里德几何学所不能描述的一大类复杂无规的几何对象。例如,弯弯曲曲的海岸线、起伏不平的山脉,粗糙不堪的断面,变幻无常的浮云,九曲回肠的河流,纵横交错的血管,令人眼花僚乱的满天繁星等。它们的特点是,极不规则或极不光滑。直观而粗略地说,这些对象都是分形。

分形的定义
曼德勃罗曾经为分形下过两个定义:
(1)满足下式条件
Dim(A)>dim(A)
的集合A,称为分形集。其中,Dim(A)为集合A的Hausdoff维数(或分维数),dim(A)为其拓扑维数。一般说来,Dim(A)不是整数,而是分数。

(2)部分与整体以某种形式相似的形,称为分形。
然而,经过理论和应用的检验,人们发现这两个定义很难包括分形如此丰富的内容。实际上,对于什么是分形,到目前为止还不能给出一个确切的定义,正如生物学中对“生命”也没有严格明确的定义一样,人们通常是列出生命体的一系列特性来加以说明。对分形的定义也可同样的处理。
(i)分形集都具有任意小尺度下的比例细节,或者说它具有精细的结构。
(ii)分形集不能用传统的几何语言来描述,它既不是满足某些条件的点的轨迹,也不是某些简单方程的解集。
(iii)分形集具有某种自相似形式,可能是近似的自相似或者统计的自相似。
(iv)一般,分形集的“分形维数”,严格大于它相应的拓扑维数。
(v)在大多数令人感兴趣的情形下,分形集由非常简单的方法定义,可能以变换的迭代产生。

转自:http://library.thinkquest.org/C006364/GB/fractal/intro.htm

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2007-05-08

Another notable figure in City Univerisity of Hongkong-Prof. Lee, Shuit-Tong(Hongkong)



Prof. Lee, Shuit-Tong
Member (Academican), Chinese Academy of Sciences

Professor (Chair) of Materials Science
Department of Physics & Materials Science

Director, Center Of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF)

BSc (CUHK), MS (Rochester), PhD (UBC)
Research Interest

Nanoscience and nanotechnology

Nanobiosensors

Nanooptoelectronics

Organic light emitting diode (OLED display technology

Nanodiamond

cBN and super-hard coatings

Surface science and modification



Awards

Hsun Lee Lecture Award, Institute of Metal Research, CAS, Shenyang, 2006

National Natural Science Award (2nd Class Award), State Council of the People's Republic of China, 2005

National Natural Science Award (2nd Class Award), State Council of the People's Republic of China, 2003

Croucher Senior Research Fellowship Award, Hong Kong, 2002

Humboldt Research Awards, Germany (from Alexander von Humboldt Foundation), 2001



Professional Roles

Editorship

Associate Editor, Applied Physics Letters (2006 - present)

Associate Editor, Diamond and Related Materials (1995 - present)

Regional Editor for Asia, Physica Status Solidi (2004 - present)

Editorial Board, Applied Physics Letters (2003 - 2005), Journal of Applied Physics (2003-2005), New Carbon Materials (1999 - present), Journal of Materials Science & Technology (2002 - 2005), Chinese Physical Society - Journal of Luminescence and Nanotechnolgy (2004 - present ) & Precision Engineering (2004 - present)

Advisory Editorial Board, Advanced Functional Materials (2000 - present) & Applied Nanoscience (2003 - present)

Guest Editor, Nanotechnology (Special issue, 2005)

Director, Key Laboratory of Nano-organic Optoelectronic Materials and Devices, TIPC, Chinese Academy of Sciences, Beijing, P.R. China (2001 - present)



Publications in Nature / Science

 


S. T. Lee, Y. Lifshitz, "The road to diamond wafers", Nature 424, 500 (2003).

D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, S. T. Lee, "Small diameter silicon nanowire surface", Science 299,

1874-1877 (2003). The images of the paper were printed as the coverpage of the journal, Science (March 2003).

Y. Lifshitz, Th. Kohler, Th. Frauenheim, I. Guzmann, A. Hoffman, R. Q. Zhang, X. T. Zhou, S. T. Lee, "The mechanism of

diamond nucleation from energetic species", Science 297, 1531 (2002).

Y. Lifshitz, X. F. Duan, N. G. Shang, Q. Li, L. Wan, I. Bello, S. T. Lee, "Epitaxial diamond polytypes on silicon", Nature 412, 404 (2001).

S.T. Lee, H. Y. Peng, X. T. Zhou, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, and Y. Liftshitz, "A nucleation site and mechanism leading to epitaxial growth of diamond films", Science 287,104-106 (2000).

To see more detailed information about Prof. Lee Shuit-Tong, please go to this website:
http://www.cityu.edu.hk/cosdaf/Member%20Profiles/profilestlee.htm
Where you can find the lastest photo, and the members of his research group, as well as the condition about the Center Of Super-Diamond and Advanced Films(COSDAF).
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中文简介:
李述汤教授为材料化学及物理学家,是香港城市大学物理及材料科学系讲座教授。 1969年畢業於香港中文大學化學系,1971年在美國 Rochester 大學化學系獲碩士學位,1974年於加拿大 British Columbia 大學化學系獲博士學位。1969年毕业于香港中文大学化学系,1971年在美国 Rochester大学化学系获硕士学位,1974年于加拿大BritishColumbia大学化学系获博士学位。 1974年至1976在美國加州大學伯克力分校做博士後研究,1976年至1994年在美國Eastman Kodak公司任研究員,1994年到香港城市大學工作至今,現任香港城市大學超金剛石及先進薄膜研究中心主任,並兼任中國科學院理化技術研究所研究員和納米有機光電子實驗室主任。1974年至1976在美国加州大学伯克力分校做博士后研究,1976年至1994年在美国Eastman Kodak公司任研究员,1994年到香港城市大学工作至今,现任香港城市大学超金刚石及先进薄膜研究中心主任,并兼任中国科学院理化技术研究所研究员和纳米有机光电子实验室主任。

  李教授長期致力於光電子材料,如納米材料、金剛石和相關材料以及有機電致發光材料領域的研究。  李教授长期致力于光电子材料,如纳米材料、金刚石和相关材料以及有机电致发光材料领域的研究。 在《Science》、《Nature》等國際重要期刊發表論文550餘篇,獲美國專利15項,撰寫專著6部,論文被他人引用5000餘次。在《Science》、《Nature》等国际重要期刊发表论文550余篇,获美国专利15项,撰写专著6部,论文被他人引用5000余次。 2001至2005年相繼榮獲德國洪堡基金會研究成就獎 (Humboldt Research Award)、香港裘槎基金會高級研究成就獎(Croucher Senior Research Fellowship) 和2項中國國家自然科學二等獎 (State Natural Science Award, 2002 & 2005)。2001至2005年相继荣获德国洪堡基金会研究成就奖 (HumboldtResearchAward)、香港裘槎基金会高级研究成就奖(CroucherSeniorResearchFellowship) 和2项中国国家自然科学二等奖(StateNaturalScienceAward,2002&2005)。 目前擔任多種國際期刊的編輯及編委,包括《Applied Physics Letters》和《Diamond & Related Materials》的副總編輯、《Physica Status Solidi》國際雜誌亞太區主編。目前担任多种国际期刊的编辑及编委,包括《Applied PhysicsLetters》和《Diamond&RelatedMaterials》的副总编辑、《PhysicaStatusSolidi》国际杂志亚太区主编。 2005年12月榮膺為中國科學院院士。2005年12月荣膺为中国科学院院士。

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2007-05-07

Two Letters of Premier Wen









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The Working Principle of Plasma Sprayer ( 等离子喷涂设备的工作原理)

等离子喷涂技术是继火焰喷涂之后大力发展起来的一种新型多用途的精密喷涂方法.它包括大气等离子喷涂,保护气氛等离子喷涂,真空等离子喷涂和水稳等离子喷涂。 等离子体喷涂具有如下优点:①超高温特性,便于进行高熔点材料的喷涂。②喷射粒子的速度高,涂层致密,粘结强度高。③由于使用惰性气体作为工作气体,所以喷涂材料不易氧化。

其工作原理如下:

<1>等离子的形成(以N2为例):



0°k时,N2分子的两个原子程哑铃形,仅在x,y,z方向上平动;

大于10°k时,开始旋转运动;

大于10000°k时,原子间产生振动,分子与分子间碰撞,则分子会发生离解变为单原子:

N2+Ud——>N+N 其中 Ud为离解能

温度再升高,原子会发生电离: N+Ui——>N++e 其中 Ui为电离能

气体电离后,在空间不仅有原子,还有正离子和自由电子,这种状态就叫等离子体。

等离子体可分为三大类:①高温高压等离子体,电离度100%,温度可达几亿度,用于核聚变的研究;②低温低压等离子体,电离度不足1%,温度仅为50~250度;③高温低压等离子体,约有1%以上的气体被电离,具有几万度的温度。离子、自由电子、未电离的原子的动能接近于热平衡。热喷涂所利用的正是这类等离子体。

<2>喷涂原理:

等离子喷涂原理如图2所示。


等离子喷涂是利用等离子弧进行的,离子弧是压缩电弧,与自由电弧项比较,其弧柱细,电流密度大,气体电离度高,因此具有温度高,能量集中,弧稳定性好等特点。

按接电方法不同,等离子弧有三种形式:

①非转移弧:指在阴极和喷嘴之间所产生的等离子弧。这种情况正极接在喷嘴上,工件不带电,在阴极和喷嘴的内壁之间产生电弧,工作气体通过阴极和喷嘴之间的电弧而被加热,造成全部或部分电离,然后由喷嘴喷出形成等离子火焰(或叫等离子射流)。

等离子喷涂采用的就是这类等离子弧。

②转移弧:电弧离开喷枪转移到被加工零件上的等离子弧。这种情况喷嘴不接电源,工件接正极,电弧飞越喷枪的阴极和阳极(工件)之间,工作气体围绕着电弧送入,然后从喷嘴喷出。

等离子切割,等离子弧焊接,等离子弧冶炼使用的是这类等离子弧。

③联合弧:非转移弧引燃转移弧并加热金属粉末,转移弧加热工件使其表面产生熔池。这种情况喷嘴,工件均接在正极。

等离子喷焊采用这种等离子弧。

进行等离子喷涂时,首先在阴极和阳极(喷嘴)之间产生一直流电弧,该电弧把导入的工作气体加热电离成高温等离子体,并从喷嘴喷出,形成等离子焰,等离子焰的温度很高,其中心温度可达30000°k,喷嘴出口的温度可达

; 15000~20000°k。焰流速度在喷嘴出口处

可达1000~2000m/s,但迅衰减。粉末由送

粉气送入火焰中被熔化,并由焰流加速得到高于150m/s的速度,喷射到基体材料上形成膜。

图3等离子焰流温度分布


<3>等离子喷涂设备:等离子喷涂设备主要包括:

①喷枪:实际上是一个非转移弧等离子发生器,是最关键的部件,其上集中了整个系统的电,气,粉,水等。

②电源:用以供给喷枪直流电。通常为全波硅整流装置。

③送粉器:用来贮存喷涂粉末并按工艺要求向喷枪输送粉末的装置。

④热交换器:主要用以使喷枪获得有效的冷却,达到使喷嘴延寿的目的。

⑤供气系统:包括工作气和送粉气的供给系统。

⑥控制框:用于对水,电、气、粉的调节和控制。

<4>等离子喷涂工艺:

在等离子喷涂过程中,影响涂层质量的工艺参数很多,主要有:

①等离子气体:气体的选择原则主要根据是可用性和经济性,N2气便宜,且离子焰热焓高,传热快,利于粉末的加热和熔化,但对于易发生氮化反应的粉末或基体则不可采用。Ar气电离电位较低,等离子弧稳定且易于引燃,弧焰较短,适于小件或薄件的喷涂,此外Ar气还有很好的保护作用,但Ar气的热焓低,价格昂贵。

气体流量大小直接影响等离子焰流的热焓和流速,从而影响喷涂效率,涂层气孔率和结合力等。流量过高,则气体会从等离子射流中带走有用的热,并使喷涂粒子的速度升高,减少了喷涂粒子在等离子火焰中的“滞留”时间,导致粒子达不到变形所必要的半熔化或塑性状态,结果是涂层粘接强度、密度和硬度都较差,沉积速率也会显著降低;相反,则会使电弧电压值不适当,并大大降低喷射粒子的速度。极端情况下,会引起喷涂材料过热,造成喷涂材料过度熔化或汽化,引起熔融的粉末粒子在喷嘴或粉末喷口聚集,然后以较大球状沉积到涂层中,形成大的空穴。

②电弧的功率:

电弧功率太高,电弧温度升高,更多的气体将转变成为等离子体,在大功率、低工作气体流量的情况下,几乎全部工作气体都转变为活性等粒子流,等粒子火焰温度也很高,这可能使一些喷涂材料气化并引起涂层成分改变,喷涂材料的蒸汽在基体与涂层之间或涂层的叠层之间凝聚引起粘接不良。此外还可能使喷嘴和电极烧蚀。

而电弧功率太低,则得到部分离子气体和温度较低的等离子火焰,又会引起粒子加热不足,涂层的粘结强度,硬度和沉积效率较低。

③供粉

供粉速度必须与输入功率相适应,过大,会出现生粉(未熔化),导致喷涂效率降低;过低,粉末氧化严重,并造成基体过热。

送料位置也会影响涂层结构和喷涂效率,一般来说,粉末必须送至焰心才能使粉末获得最好的加热和最高的速度。

④喷涂距离和喷涂角

喷枪到工件的距离影响喷涂粒子和基体撞击时的速度和温度,涂层的特征和喷涂材料对喷涂距离很敏感。

喷涂距离过大,粉粒的温度和速度均将下降,结合力、气孔、喷涂效率都会明显下降;过小,会使基体温升过高,基体和涂层氧化,影响涂层的结合。在机体温升允许的情况下,喷距适当小些为好。

喷涂角:指的是焰流轴线与被喷涂工件表面之间的角度。该角小于45度时,由于“阴影效应”的影响,涂层结构会恶化形成空穴,导致涂层疏松。

⑤喷枪与工件的相对运动速度

喷枪的移动速度应保证涂层平坦,不出线喷涂脊背的痕迹。也就是说,每个行程的宽度之间应充分搭叠,在满足上述要求前提下,喷涂操作时,一般采用较高的喷枪移动速度,这样可防止产生局部热点和表面氧化。

⑥基体温度控制

较理想的喷涂工件是在喷涂前把工件预热到喷涂过程要达到的温度,然后在喷涂过程中对工件采用喷气冷却的措施,使其保持原来的温度。

近几年来,在等离子喷涂的基础上又发展了几种新的等离子喷涂技术,如:

1)真空等离子喷涂(又叫低压等离子喷涂)

真空等离子喷涂是在气氛可控的,4~40Kpa的密封室内进行喷涂的技术。

因为工作气体等离子化后,是在低压气氛中边膨胀体积边喷出的,所以喷流速度是超音速的,而且非常适合于对氧化高度敏感的材料。

2)水稳等离子喷涂

前面说的等离子喷涂的工作介质都是气体,而这种方法的工作介质不是气而是水,它是一种高功率或高速等离子喷涂的方法,其工作原理是:

喷枪内通入高压水流,并在枪筒内壁形成涡流,这时,在枪体后部的阴极和枪体前部的旋转阳极间产生直流电弧,使枪筒内壁表面的一部分蒸发、分解,变成等离子态,产生连续的等离子弧。由于旋转涡流水的聚束作用,其能量密度提高,燃烧稳定,因此,可喷涂高熔点材料,特别是氧化物陶瓷,喷涂效率非常高。

http://www2.zzu.edu.cn/classware/clkx/menu/biaomian/content/chap5/5-3.htm


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